N-Channel MOSFET, 40 A, 650 V, 3-Pin TO-247 onsemi NTHL082N65S3F
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
40 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
82 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
313 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Width
4.82mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
15.87mm
Typical Gate Charge @ Vgs
81 nC @ 10 V
Height
20.82mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 10,20
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 12,648
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
5
€ 10,20
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 12,648
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
5
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 10,20 | € 51,00 |
| 10 - 95 | € 9,20 | € 46,00 |
| 100 - 245 | € 8,90 | € 44,50 |
| 250 - 495 | € 8,70 | € 43,50 |
| 500+ | € 8,50 | € 42,50 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
40 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
82 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
313 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Width
4.82mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
15.87mm
Typical Gate Charge @ Vgs
81 nC @ 10 V
Height
20.82mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.