Dual N-Channel MOSFET, 6.5 A, 20 V, 8-Pin SOIC onsemi NTMD6N02G

RS tilauskoodi: 805-4525Tuotemerkki: ON SemiconductorValmistajan osanumero.: NTMD6N02R2G
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

6.5 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

SOIC

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

49 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

2 W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

12 nC @ 4.5 V

Width

4mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

2

Height

1.5mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,502

1 kpl (25 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,622

1 kpl (25 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Dual N-Channel MOSFET, 6.5 A, 20 V, 8-Pin SOIC onsemi NTMD6N02G

€ 0,502

1 kpl (25 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,622

1 kpl (25 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Dual N-Channel MOSFET, 6.5 A, 20 V, 8-Pin SOIC onsemi NTMD6N02G
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
25 - 25€ 0,502€ 12,55
50 - 225€ 0,412€ 10,30
250 - 475€ 0,335€ 8,38
500 - 975€ 0,291€ 7,28
1000+€ 0,261€ 6,52

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

6.5 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

SOIC

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

49 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

2 W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

12 nC @ 4.5 V

Width

4mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

2

Height

1.5mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja