Dual N-Channel MOSFET, 36 A, 40 V, 8-Pin DFN onsemi NTMFD5C470NLT1G
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
36 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
DFN
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
11.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
24 W
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Width
6.1mm
Number of Elements per Chip
2
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
5.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
4 nC @ 4.5 V
Height
1.05mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Alkuperämaa
Malaysia
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,849
1 kpl (1500 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 1,053
1 kpl (1500 kpl/kela) (Sis ALV:n)
1500
€ 0,849
1 kpl (1500 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 1,053
1 kpl (1500 kpl/kela) (Sis ALV:n)
1500
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Kela |
|---|---|---|
| 1500 - 3000 | € 0,849 | € 1 273,50 |
| 4500 - 7500 | € 0,823 | € 1 234,50 |
| 9000+ | € 0,785 | € 1 177,50 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
36 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
DFN
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
11.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
24 W
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Width
6.1mm
Number of Elements per Chip
2
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
5.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
4 nC @ 4.5 V
Height
1.05mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Alkuperämaa
Malaysia
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.