Dual N-Channel MOSFET, 42 A, 60 V, 8-Pin DFN onsemi NTMFD5C674NLT1G
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
42 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
DFN
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
14.4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
37 W
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Width
6.1mm
Number of Elements per Chip
2
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
5.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
4.7 nC @ 4.5 V
Height
1.05mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Alkuperämaa
Malaysia
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 1,70
1 kpl (1500 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 2,108
1 kpl (1500 kpl/kela) (Sis ALV:n)
1500
€ 1,70
1 kpl (1500 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 2,108
1 kpl (1500 kpl/kela) (Sis ALV:n)
1500
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
42 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
DFN
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
14.4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
37 W
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Width
6.1mm
Number of Elements per Chip
2
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
5.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
4.7 nC @ 4.5 V
Height
1.05mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Alkuperämaa
Malaysia
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.