GaN N-Channel MOSFET, 17 A, 600 V, 3-Pin TO-220 onsemi NTP8G206NG
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
17 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
180 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
96 W
Transistor Configuration
Cascode
Maximum Gate Source Voltage
-18 V, +18 V
Transistor Material
GaN
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.53mm
Typical Gate Charge @ Vgs
6.2 nC @ 4.5 V
Width
4.83mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
2.2V
Height
15.75mm
Alkuperämaa
Philippines
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 33,30
kpl (ilman ALV)
€ 41,29
kpl (Sis ALV:n)
1
€ 33,30
kpl (ilman ALV)
€ 41,29
kpl (Sis ALV:n)
1
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta |
|---|---|
| 1 - 1 | € 33,30 |
| 2 - 4 | € 33,10 |
| 5 - 9 | € 32,90 |
| 10 - 49 | € 30,70 |
| 50+ | € 29,30 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
17 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
180 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
96 W
Transistor Configuration
Cascode
Maximum Gate Source Voltage
-18 V, +18 V
Transistor Material
GaN
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.53mm
Typical Gate Charge @ Vgs
6.2 nC @ 4.5 V
Width
4.83mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
2.2V
Height
15.75mm
Alkuperämaa
Philippines
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.