N-Channel MOSFET, 270 mA, 30 V, 3-Pin SOT-323 onsemi NTS4001NG
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
270 mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOT-323 (SC-70)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
2 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
330 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.9 nC @ 5 V
Width
1.35mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
0.9mm
Tuotetiedot
N-Channel Power MOSFET, 30V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,037
1 kpl (50 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 0,046
1 kpl (50 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
50
€ 0,037
1 kpl (50 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 0,046
1 kpl (50 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
50
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
270 mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOT-323 (SC-70)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
2 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
330 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.9 nC @ 5 V
Width
1.35mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
0.9mm
Tuotetiedot
N-Channel Power MOSFET, 30V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.