Dual N-Channel MOSFET, 127 A, 40 V, 8-Pin DFN onsemi NVMFD5C446NT1G

RS tilauskoodi: 178-4296Tuotemerkki: onsemiValmistajan osanumero.: NVMFD5C446NT1G
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

127 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

DFN

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

2.9 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

89 W

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

5.1mm

Typical Gate Charge @ Vgs

38 nC @ 10 V

Width

6.1mm

Number of Elements per Chip

2

Forward Diode Voltage

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.05mm

Alkuperämaa

Malaysia

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 2,20

1 kpl (1500 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 2,728

1 kpl (1500 kpl/kela) (Sis ALV:n)

Dual N-Channel MOSFET, 127 A, 40 V, 8-Pin DFN onsemi NVMFD5C446NT1G

€ 2,20

1 kpl (1500 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 2,728

1 kpl (1500 kpl/kela) (Sis ALV:n)

Dual N-Channel MOSFET, 127 A, 40 V, 8-Pin DFN onsemi NVMFD5C446NT1G
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

127 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

DFN

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

2.9 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

89 W

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

5.1mm

Typical Gate Charge @ Vgs

38 nC @ 10 V

Width

6.1mm

Number of Elements per Chip

2

Forward Diode Voltage

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.05mm

Alkuperämaa

Malaysia