Dual N-Channel MOSFET, 27 A, 40 V, 8-Pin DFN onsemi NVMFD5C478NT1G
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
27 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
DFN
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
17 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
23 W
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Width
6.1mm
Number of Elements per Chip
2
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
5.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
6.3 nC @ 10 V
Height
1.05mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Alkuperämaa
Malaysia
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,888
1 kpl (1500 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 1,101
1 kpl (1500 kpl/kela) (Sis ALV:n)
1500
€ 0,888
1 kpl (1500 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 1,101
1 kpl (1500 kpl/kela) (Sis ALV:n)
1500
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
27 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
DFN
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
17 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
23 W
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Width
6.1mm
Number of Elements per Chip
2
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
5.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
6.3 nC @ 10 V
Height
1.05mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Alkuperämaa
Malaysia
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.