N-Channel MOSFET, 35 A, 40 V, 5-Pin DFN onsemi NVMFS5C468NT1G

RS tilauskoodi: 178-4304Tuotemerkki: onsemiValmistajan osanumero.: NVMFS5C468NT1G
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

35 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

DFN

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

5

Maximum Drain Source Resistance

12 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

28 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Width

6.1mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

5.1mm

Typical Gate Charge @ Vgs

7.9 nC @ 10 V

Height

1.05mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Alkuperämaa

Malaysia

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,631

1 kpl (1500 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 0,782

1 kpl (1500 kpl/kela) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 35 A, 40 V, 5-Pin DFN onsemi NVMFS5C468NT1G

€ 0,631

1 kpl (1500 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 0,782

1 kpl (1500 kpl/kela) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 35 A, 40 V, 5-Pin DFN onsemi NVMFS5C468NT1G
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

35 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

DFN

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

5

Maximum Drain Source Resistance

12 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

28 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Width

6.1mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

5.1mm

Typical Gate Charge @ Vgs

7.9 nC @ 10 V

Height

1.05mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Alkuperämaa

Malaysia

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja