N-Channel MOSFET, 71 A, 60 V, 5-Pin DFN onsemi NVMFS5C670NLWFAFT1G

RS tilauskoodi: 171-8331Tuotemerkki: onsemiValmistajan osanumero.: NVMFS5C670NLWFAFT1G
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

71 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

DFN

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

5

Maximum Drain Source Resistance

8.8 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

61 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Length

6.1mm

Typical Gate Charge @ Vgs

20 nC @ 10 V

Width

5.1mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Height

1.05mm

Series

NVMFS5C670NL

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Automotive Standard

AEC-Q101

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 1,05

1 kpl (1500 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 1,302

1 kpl (1500 kpl/kela) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 71 A, 60 V, 5-Pin DFN onsemi NVMFS5C670NLWFAFT1G

€ 1,05

1 kpl (1500 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 1,302

1 kpl (1500 kpl/kela) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 71 A, 60 V, 5-Pin DFN onsemi NVMFS5C670NLWFAFT1G
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

71 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

DFN

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

5

Maximum Drain Source Resistance

8.8 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

61 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Length

6.1mm

Typical Gate Charge @ Vgs

20 nC @ 10 V

Width

5.1mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Height

1.05mm

Series

NVMFS5C670NL

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Automotive Standard

AEC-Q101