Website Outage

Due to essential maintenance the website will be unavailable from 3am to 7am (GMT) Saturday 10th May. We apologise for any inconvenience.

RFP50N06 N-Channel MOSFET, 50 A, 60 V MegaFET, 3-Pin TO-220AB ON Semiconductor

RS tilauskoodi: 325-7625PTuotemerkki: ON SemiconductorValmistajan osanumero.: RFP50N06
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

50 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

MegaFET

Package Type

TO-220AB

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

22 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

131 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

125 nC @ 20 V

Number of Elements per Chip

1

Length

10.67mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Width

4.83mm

Transistor Material

Si

Height

9.4mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

MegaFET MOSFET, Fairchild Semiconductor

The MegaFET process, which uses feature sizes approaching those of LSI integrated circuits, gives optimum utilisation of silicon, resulting in outstanding performance.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut
onsemi N-Channel MOSFET, 50 A, 60 V, 3-Pin TO-220AB RFP50N06
€ 2,3221 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 12,00

€ 1,20 kpl (toimitus teipissä) (ilman ALV)

€ 15,06

€ 1,51 kpl (toimitus teipissä) (Sis ALV:n)

RFP50N06 N-Channel MOSFET, 50 A, 60 V MegaFET, 3-Pin TO-220AB ON Semiconductor
Valitse pakkaustyyppi

€ 12,00

€ 1,20 kpl (toimitus teipissä) (ilman ALV)

€ 15,06

€ 1,51 kpl (toimitus teipissä) (Sis ALV:n)

RFP50N06 N-Channel MOSFET, 50 A, 60 V MegaFET, 3-Pin TO-220AB ON Semiconductor
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhinta
10 - 24€ 1,20
25+€ 1,10

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut
onsemi N-Channel MOSFET, 50 A, 60 V, 3-Pin TO-220AB RFP50N06
€ 2,3221 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

50 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

MegaFET

Package Type

TO-220AB

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

22 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

131 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

125 nC @ 20 V

Number of Elements per Chip

1

Length

10.67mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Width

4.83mm

Transistor Material

Si

Height

9.4mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

MegaFET MOSFET, Fairchild Semiconductor

The MegaFET process, which uses feature sizes approaching those of LSI integrated circuits, gives optimum utilisation of silicon, resulting in outstanding performance.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut
onsemi N-Channel MOSFET, 50 A, 60 V, 3-Pin TO-220AB RFP50N06
€ 2,3221 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)