N-Channel MOSFET, 115 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 onsemi 2N7002LG
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
115 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
7.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
300 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Width
1.4mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3.04mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.01mm
Tuotetiedot
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,067
kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 0,083
kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
200
€ 0,067
kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 0,083
kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
200
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Kela |
|---|---|---|
| 200 - 800 | € 0,067 | € 13,40 |
| 1000 - 1800 | € 0,048 | € 9,60 |
| 2000+ | € 0,046 | € 9,20 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
115 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
7.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
300 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Width
1.4mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3.04mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.01mm
Tuotetiedot
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.