onsemi 2SC5200OTU NPN Transistor, 17 A, 250 V, 3-Pin TO-264
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
17 A
Maximum Collector Emitter Voltage
250 V
Package Type
TO-264
Mounting Type
Through Hole
Maximum Power Dissipation
150 W
Minimum DC Current Gain
80
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
250 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
30 MHz
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Dimensions
20 x 5 x 26mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Tuotetiedot
Power NPN Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 4,15
1 kpl (25 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 5,146
1 kpl (25 kpl/putki) (Sis ALV:n)
25
€ 4,15
1 kpl (25 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 5,146
1 kpl (25 kpl/putki) (Sis ALV:n)
25
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Putki |
|---|---|---|
| 25 - 100 | € 4,15 | € 103,75 |
| 125 - 225 | € 3,55 | € 88,75 |
| 250+ | € 3,45 | € 86,25 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
17 A
Maximum Collector Emitter Voltage
250 V
Package Type
TO-264
Mounting Type
Through Hole
Maximum Power Dissipation
150 W
Minimum DC Current Gain
80
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
250 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
30 MHz
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Dimensions
20 x 5 x 26mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Tuotetiedot
Power NPN Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.