P-Channel MOSFET, 40 A, 30 V, 3-Pin ATPAK onsemi ATP102-TL-H
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
40 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
ATPAK
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
31 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.6V
Maximum Power Dissipation
40 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
7.3mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
6.5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
34 nC @ 10 V
Height
1.5mm
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,323
1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,401
1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
€ 0,323
1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,401
1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
40 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
ATPAK
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
31 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.6V
Maximum Power Dissipation
40 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
7.3mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
6.5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
34 nC @ 10 V
Height
1.5mm
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.