onsemi BC550CTA NPN Transistor, 100 mA, 45 V, 3-Pin TO-92
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
100 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
45 V
Package Type
TO-92
Mounting Type
Through Hole
Maximum Power Dissipation
500 mW
Minimum DC Current Gain
420
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
50 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
1 MHz
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Dimensions
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Tuotetiedot
Small Signal NPN Transistors, 40V to 50V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,053
kpl (toimitus teipissä) (ilman ALV)
€ 0,067
kpl (toimitus teipissä) (Sis ALV:n)
2000
€ 0,053
kpl (toimitus teipissä) (ilman ALV)
€ 0,067
kpl (toimitus teipissä) (Sis ALV:n)
2000
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Nauha |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | € 0,053 | € 106,00 |
| 4000+ | € 0,051 | € 102,00 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
100 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
45 V
Package Type
TO-92
Mounting Type
Through Hole
Maximum Power Dissipation
500 mW
Minimum DC Current Gain
420
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
50 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
1 MHz
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Dimensions
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Tuotetiedot
Small Signal NPN Transistors, 40V to 50V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.