onsemi BD682S PNP Darlington Pair, -4 A 100 V HFE:750, 3-Pin TO-126

RS tilauskoodi: 802-2979PTuotemerkki: onsemiValmistajan osanumero.: BD682STU
brand-logo
Näytä kaikki Darlington Pairs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Transistor Type

PNP

Maximum Continuous Collector Current

-4 A

Maximum Collector Emitter Voltage

100 V

Maximum Emitter Base Voltage

-5 V

Package Type

TO-126

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Number of Elements per Chip

1

Minimum DC Current Gain

750

Maximum Collector Base Voltage

-100 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

-2.5 V

Maximum Collector Cut-off Current

-500µA

Maximum Power Dissipation

14 W

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

8mm

Height

11mm

Width

3.25mm

Dimensions

8 x 3.25 x 11mm

Tuotetiedot

Darlington PNP Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,626

kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)

€ 0,776

kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)

onsemi BD682S PNP Darlington Pair, -4 A 100 V HFE:750, 3-Pin TO-126
Valitse pakkaustyyppi

€ 0,626

kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)

€ 0,776

kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)

onsemi BD682S PNP Darlington Pair, -4 A 100 V HFE:750, 3-Pin TO-126
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Putki
20 - 80€ 0,626€ 12,52
100 - 480€ 0,441€ 8,82
500 - 980€ 0,363€ 7,26
1000 - 1980€ 0,295€ 5,90
2000+€ 0,251€ 5,02

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Transistor Type

PNP

Maximum Continuous Collector Current

-4 A

Maximum Collector Emitter Voltage

100 V

Maximum Emitter Base Voltage

-5 V

Package Type

TO-126

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Number of Elements per Chip

1

Minimum DC Current Gain

750

Maximum Collector Base Voltage

-100 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

-2.5 V

Maximum Collector Cut-off Current

-500µA

Maximum Power Dissipation

14 W

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

8mm

Height

11mm

Width

3.25mm

Dimensions

8 x 3.25 x 11mm

Tuotetiedot

Darlington PNP Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja