onsemi BDV65BG NPN Transistor, 10 A, 100 V, 3-Pin TO-218

RS tilauskoodi: 184-4189Tuotemerkki: onsemiValmistajan osanumero.: BDV65BG
brand-logo

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Transistor Type

NPN

Maximum DC Collector Current

10 A

Maximum Collector Emitter Voltage

100 V

Package Type

TO-218

Mounting Type

Through Hole

Maximum Power Dissipation

125 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage

100 V dc

Maximum Emitter Base Voltage

5 V dc

Pin Count

3

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Dimensions

10.53 x 4.83 x 15.75mm

Alkuperämaa

China

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 1,15

1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 1,426

1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)

onsemi BDV65BG NPN Transistor, 10 A, 100 V, 3-Pin TO-218

€ 1,15

1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 1,426

1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)

onsemi BDV65BG NPN Transistor, 10 A, 100 V, 3-Pin TO-218
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Transistor Type

NPN

Maximum DC Collector Current

10 A

Maximum Collector Emitter Voltage

100 V

Package Type

TO-218

Mounting Type

Through Hole

Maximum Power Dissipation

125 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage

100 V dc

Maximum Emitter Base Voltage

5 V dc

Pin Count

3

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Dimensions

10.53 x 4.83 x 15.75mm

Alkuperämaa

China

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja