N-Channel MOSFET, 500 mA, 60 V, 3-Pin TO-92 onsemi BS170

RS tilauskoodi: 671-4736PTuotemerkki: onsemiValmistajan osanumero.: BS170
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

500 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

TO-92

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

5 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.8V

Maximum Power Dissipation

830 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5.2mm

Width

4.19mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

5.33mm

Tuotetiedot

Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,326

kpl (toimitus pussissa) (ilman ALV)

€ 0,404

kpl (toimitus pussissa) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 500 mA, 60 V, 3-Pin TO-92 onsemi BS170
Valitse pakkaustyyppi

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 10.

Tuotanto -

Pakkauskoko 10.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

10

Pakkauskoko 10
10€ 3,26
20€ 6,52
30€ 9,78
40€ 13,04
50€ 16,30
60€ 19,56
70€ 22,82
80€ 26,08
90€ 29,34
100€ 14,50
110€ 15,95
120€ 17,40
130€ 18,85
140€ 20,30
150€ 21,75

€ 0,326

kpl (toimitus pussissa) (ilman ALV)

€ 0,404

kpl (toimitus pussissa) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 500 mA, 60 V, 3-Pin TO-92 onsemi BS170
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 10.

Tuotanto -

Pakkauskoko 10.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

10

Pakkauskoko 10
10€ 3,26
20€ 6,52
30€ 9,78
40€ 13,04
50€ 16,30
60€ 19,56
70€ 22,82
80€ 26,08
90€ 29,34
100€ 14,50
110€ 15,95
120€ 17,40
130€ 18,85
140€ 20,30
150€ 21,75

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pussi
10 - 90€ 0,326€ 3,26
100 - 240€ 0,145€ 1,45
250 - 490€ 0,136€ 1,36
500+€ 0,129€ 1,29

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

500 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

TO-92

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

5 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.8V

Maximum Power Dissipation

830 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5.2mm

Width

4.19mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

5.33mm

Tuotetiedot

Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja