onsemi N-Channel MOSFET, 170 mA, 100 V, 3-Pin SOT-23 BSS123LT1G
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
170 mA
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
6 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.8V
Maximum Power Dissipation
225 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
1.3mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
2.9mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
0.94mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
N-Channel Power MOSFET, 100V to 1700V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 21,80
€ 0,218 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 27,36
€ 0,274 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Kela)
100
€ 21,80
€ 0,218 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 27,36
€ 0,274 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Kela)
100
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Kela |
|---|---|---|
| 100 - 240 | € 0,218 | € 2,18 |
| 250 - 490 | € 0,188 | € 1,88 |
| 500 - 990 | € 0,166 | € 1,66 |
| 1000+ | € 0,151 | € 1,51 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
170 mA
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
6 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.8V
Maximum Power Dissipation
225 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
1.3mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
2.9mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
0.94mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
N-Channel Power MOSFET, 100V to 1700V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.