N-Channel MOSFET, 30 A, 50 V, 3-Pin TO-220AB onsemi BUZ11_NR4941

RS tilauskoodi: 124-1349Tuotemerkki: onsemiValmistajan osanumero.: BUZ11_NR4941
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

30 A

Maximum Drain Source Voltage

50 V

Package Type

TO-220AB

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

40 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2.1V

Maximum Power Dissipation

75 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

4.83mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Length

10.67mm

Height

16.51mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,954

1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 1,183

1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 30 A, 50 V, 3-Pin TO-220AB onsemi BUZ11_NR4941

€ 0,954

1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 1,183

1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 30 A, 50 V, 3-Pin TO-220AB onsemi BUZ11_NR4941
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Putki
50 - 200€ 0,954€ 47,70
250 - 950€ 0,929€ 46,45
1000 - 2450€ 0,906€ 45,30
2500+€ 0,883€ 44,15

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

30 A

Maximum Drain Source Voltage

50 V

Package Type

TO-220AB

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

40 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2.1V

Maximum Power Dissipation

75 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

4.83mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Length

10.67mm

Height

16.51mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja