P-Channel MOSFET, 130 mA, 50 V, 3-Pin SOT-23 onsemi BVSS84LT1G
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
130 mA
Maximum Drain Source Voltage
50 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
10 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.9V
Maximum Power Dissipation
225 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Length
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2.2 nC @ 10 V
Width
1.4mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1.01mm
Automotive Standard
AEC-Q101
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
2.2V
Alkuperämaa
China
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,085
1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,105
1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
€ 0,085
1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,105
1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Kela |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | € 0,085 | € 255,00 |
| 9000 - 42000 | € 0,073 | € 219,00 |
| 45000 - 96000 | € 0,066 | € 198,00 |
| 99000+ | € 0,064 | € 192,00 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
130 mA
Maximum Drain Source Voltage
50 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
10 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.9V
Maximum Power Dissipation
225 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Length
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2.2 nC @ 10 V
Width
1.4mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1.01mm
Automotive Standard
AEC-Q101
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
2.2V
Alkuperämaa
China
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.