Dual N-Channel MOSFET, 25 A, 24 V Depletion, 10-Pin WLCSP ON Semiconductor EFC4K110NUZTDG

RS tilauskoodi: 195-2486Tuotemerkki: onsemiValmistajan osanumero.: EFC4K110NUZTDG
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

25 A

Maximum Drain Source Voltage

24 V

Package Type

WLCSP

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

10

Channel Mode

Depletion

Maximum Gate Threshold Voltage

1.3V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.4V

Maximum Power Dissipation

2.5 W

Transistor Configuration

Dual

Maximum Gate Source Voltage

±12 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3.23mm

Typical Gate Charge @ Vgs

49 nC @ 4.5 V nC

Width

2.13mm

Number of Elements per Chip

2

Height

0.17mm

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 1,00

1 kpl (5000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 1,24

1 kpl (5000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

Dual N-Channel MOSFET, 25 A, 24 V Depletion, 10-Pin WLCSP ON Semiconductor EFC4K110NUZTDG

€ 1,00

1 kpl (5000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 1,24

1 kpl (5000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

Dual N-Channel MOSFET, 25 A, 24 V Depletion, 10-Pin WLCSP ON Semiconductor EFC4K110NUZTDG
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

25 A

Maximum Drain Source Voltage

24 V

Package Type

WLCSP

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

10

Channel Mode

Depletion

Maximum Gate Threshold Voltage

1.3V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.4V

Maximum Power Dissipation

2.5 W

Transistor Configuration

Dual

Maximum Gate Source Voltage

±12 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3.23mm

Typical Gate Charge @ Vgs

49 nC @ 4.5 V nC

Width

2.13mm

Number of Elements per Chip

2

Height

0.17mm

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja