onsemi ESD5481MUG, Dual-Element Bi-Directional TVS Diode, 0.3W, 2-Pin DFN

RS tilauskoodi: 145-4217Tuotemerkki: onsemiValmistajan osanumero.: ESD5481MUT5G
brand-logo
Näytä kaikki TVS Diodes tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Direction Type

Bi-Directional

Diode Configuration

Single

Maximum Clamping Voltage

23V

Minimum Breakdown Voltage

5.7V

Mounting Type

Surface Mount

Package Type

DFN

Maximum Reverse Stand-off Voltage

5V

Pin Count

2

Peak Pulse Power Dissipation

0.3W

Maximum Peak Pulse Current

2A

ESD protection

Yes

Number of Elements per Chip

2

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Dimensions

0.66 x 0.36 x 0.28mm

Capacitance

15pF

Length

0.66mm

Height

0.28mm

Width

0.36mm

Test Current

1mA

Maximum Reverse Leakage Current

1µA

Alkuperämaa

Malaysia

Tuotetiedot

Transient Voltage Suppressor Diodes for ESD Protection, ESD Series

Designed to protect voltage sensitive components from ESD (Electrostatic Discharge). Excellent clamping capability, low leakage, and fast response time provide best in class protection on designs that are exposed to ESD.

Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,029

1 kpl (10000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 0,036

1 kpl (10000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

onsemi ESD5481MUG, Dual-Element Bi-Directional TVS Diode, 0.3W, 2-Pin DFN

€ 0,029

1 kpl (10000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 0,036

1 kpl (10000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

onsemi ESD5481MUG, Dual-Element Bi-Directional TVS Diode, 0.3W, 2-Pin DFN
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Direction Type

Bi-Directional

Diode Configuration

Single

Maximum Clamping Voltage

23V

Minimum Breakdown Voltage

5.7V

Mounting Type

Surface Mount

Package Type

DFN

Maximum Reverse Stand-off Voltage

5V

Pin Count

2

Peak Pulse Power Dissipation

0.3W

Maximum Peak Pulse Current

2A

ESD protection

Yes

Number of Elements per Chip

2

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Dimensions

0.66 x 0.36 x 0.28mm

Capacitance

15pF

Length

0.66mm

Height

0.28mm

Width

0.36mm

Test Current

1mA

Maximum Reverse Leakage Current

1µA

Alkuperämaa

Malaysia

Tuotetiedot

Transient Voltage Suppressor Diodes for ESD Protection, ESD Series

Designed to protect voltage sensitive components from ESD (Electrostatic Discharge). Excellent clamping capability, low leakage, and fast response time provide best in class protection on designs that are exposed to ESD.

Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja