onsemi Dual N/P-Channel MOSFET, 460 mA, 680 mA, 25 V, 6-Pin SOT-23 FDC6321C
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
460 mA, 680 mA
Maximum Drain Source Voltage
25 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
1.1 Ω, 450 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.65V
Maximum Power Dissipation
900 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Number of Elements per Chip
2
Width
1.7mm
Length
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.1 nC @ 4.5 V, 1.64 nC @ 4.5 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1mm
Tuotetiedot
Digital FETs, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 693,00
€ 0,231 1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 869,72
€ 0,29 1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
€ 693,00
€ 0,231 1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 869,72
€ 0,29 1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
460 mA, 680 mA
Maximum Drain Source Voltage
25 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
1.1 Ω, 450 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.65V
Maximum Power Dissipation
900 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Number of Elements per Chip
2
Width
1.7mm
Length
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.1 nC @ 4.5 V, 1.64 nC @ 4.5 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1mm
Tuotetiedot
Digital FETs, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.