N-Channel MOSFET, 14 A, 150 V, 3-Pin DPAK onsemi FDD120AN15A0
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
14 A
Maximum Drain Source Voltage
150 V
Series
PowerTrench
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
282 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
65 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
11.2 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
6.73mm
Width
6.22mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
2.39mm
Tuotetiedot
PowerTrench® N-Channel MOSFET, 10A to 19.9A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,868
kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 1,076
kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
5
€ 0,868
kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 1,076
kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
5
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Kela |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 0,868 | € 4,34 |
| 10 - 95 | € 0,738 | € 3,69 |
| 100+ | € 0,557 | € 2,78 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
14 A
Maximum Drain Source Voltage
150 V
Series
PowerTrench
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
282 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
65 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
11.2 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
6.73mm
Width
6.22mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
2.39mm
Tuotetiedot
PowerTrench® N-Channel MOSFET, 10A to 19.9A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.