P-Channel MOSFET, 2 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 onsemi FDN342P

RS tilauskoodi: 671-0444PTuotemerkki: onsemiValmistajan osanumero.: FDN342P
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

2 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

80 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

0.6V

Maximum Power Dissipation

500 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Typical Gate Charge @ Vgs

6.3 nC @ 4.5 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2.92mm

Width

1.4mm

Transistor Material

Si

Series

PowerTrench

Height

0.94mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs employa shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generations.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuits or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,443

kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 0,549

kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

P-Channel MOSFET, 2 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 onsemi FDN342P
Valitse pakkaustyyppi

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 10.

Tuotanto -

Pakkauskoko 10.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

10

Pakkauskoko 10
10€ 4,43
20€ 8,86
30€ 13,29
40€ 17,72
50€ 22,15
60€ 26,58
70€ 31,01
80€ 35,44
90€ 39,87
100€ 32,80
110€ 36,08
120€ 39,36
130€ 42,64
140€ 45,92
150€ 49,20

€ 0,443

kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 0,549

kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

P-Channel MOSFET, 2 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 onsemi FDN342P
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 10.

Tuotanto -

Pakkauskoko 10.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

10

Pakkauskoko 10
10€ 4,43
20€ 8,86
30€ 13,29
40€ 17,72
50€ 22,15
60€ 26,58
70€ 31,01
80€ 35,44
90€ 39,87
100€ 32,80
110€ 36,08
120€ 39,36
130€ 42,64
140€ 45,92
150€ 49,20

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Kela
10 - 90€ 0,443€ 4,43
100 - 490€ 0,328€ 3,28
500 - 990€ 0,258€ 2,58
1000 - 2990€ 0,213€ 2,13
3000+€ 0,178€ 1,78

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

2 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

80 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

0.6V

Maximum Power Dissipation

500 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Typical Gate Charge @ Vgs

6.3 nC @ 4.5 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2.92mm

Width

1.4mm

Transistor Material

Si

Series

PowerTrench

Height

0.94mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs employa shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generations.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuits or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja