onsemi FGAF40S65AQ IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin TO-3PF, Through Hole

RS tilauskoodi: 185-7999Tuotemerkki: onsemiValmistajan osanumero.: FGAF40S65AQ
brand-logo
Näytä kaikki IGBTs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Maximum Continuous Collector Current

80 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Number of Transistors

1

Maximum Power Dissipation

94 W

Package Type

TO-3PF

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Dimensions

15.7 x 5.7 x 24.7mm

Energy Rating

325mJ

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Gate Capacitance

2590pF

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Alkuperämaa

Korea, Republic Of

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 1,65

1 kpl (360 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 2,046

1 kpl (360 kpl/putki) (Sis ALV:n)

onsemi FGAF40S65AQ IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin TO-3PF, Through Hole

€ 1,65

1 kpl (360 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 2,046

1 kpl (360 kpl/putki) (Sis ALV:n)

onsemi FGAF40S65AQ IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin TO-3PF, Through Hole
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Maximum Continuous Collector Current

80 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Number of Transistors

1

Maximum Power Dissipation

94 W

Package Type

TO-3PF

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Dimensions

15.7 x 5.7 x 24.7mm

Energy Rating

325mJ

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Gate Capacitance

2590pF

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Alkuperämaa

Korea, Republic Of

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja