onsemi FGL40N120ANDTU IGBT, 64 A 1200 V, 3-Pin TO-264, Through Hole
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiMaximum Continuous Collector Current
64 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±25V
Package Type
TO-264
Mounting Type
Through Hole
Channel Type
N
Pin Count
3
Transistor Configuration
Single
Dimensions
20 x 5 x 26mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Tuotetiedot
Discrete IGBTs, 1000V and over, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 12,20
kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)
€ 15,13
kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)
1
€ 12,20
kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)
€ 15,13
kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)
1
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta |
|---|---|
| 1 - 12 | € 12,20 |
| 13+ | € 11,00 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiMaximum Continuous Collector Current
64 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±25V
Package Type
TO-264
Mounting Type
Through Hole
Channel Type
N
Pin Count
3
Transistor Configuration
Single
Dimensions
20 x 5 x 26mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Tuotetiedot
Discrete IGBTs, 1000V and over, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.