P-Channel MOSFET, 36 A, 150 V, 3-Pin TO-3PN onsemi FQA36P15

RS tilauskoodi: 671-4938Tuotemerkki: onsemiValmistajan osanumero.: FQA36P15
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

36 A

Maximum Drain Source Voltage

150 V

Series

QFET

Package Type

TO-3PN

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

90 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

294 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Typical Gate Charge @ Vgs

81 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

15.8mm

Width

5mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

18.9mm

Tuotetiedot

QFET® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor’s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 4,65

kpl (ilman ALV)

€ 5,77

kpl (Sis ALV:n)

P-Channel MOSFET, 36 A, 150 V, 3-Pin TO-3PN onsemi FQA36P15
Valitse pakkaustyyppi

€ 4,65

kpl (ilman ALV)

€ 5,77

kpl (Sis ALV:n)

P-Channel MOSFET, 36 A, 150 V, 3-Pin TO-3PN onsemi FQA36P15
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhinta
1 - 4€ 4,65
5 - 9€ 4,45
10 - 14€ 4,30
15 - 19€ 4,20
20+€ 4,10

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

36 A

Maximum Drain Source Voltage

150 V

Series

QFET

Package Type

TO-3PN

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

90 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

294 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Typical Gate Charge @ Vgs

81 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

15.8mm

Width

5mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

18.9mm

Tuotetiedot

QFET® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor’s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja