N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V, 3-Pin DPAK onsemi HUFA76429D3ST_F085
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Series
UltraFET
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
23 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
110 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-16 V, +16 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Transistor Material
Si
Length
6.73mm
Width
6.22mm
Number of Elements per Chip
1
Typical Gate Charge @ Vgs
38 nC @ 10 V
Height
2.39mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
UltraFET® MOSFET, Fairchild Semiconductor
UItraFET® Trench MOSFET combine characteristics that enable benchmark efficiency in power conversion applications. The device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode, and the diode exhibits very low reverse recovery time and stored charge. Optimised for efficiency at high frequencies, lowest RDS(on), low ESR, and low total and Miller gate charge.
Applications in high frequency DC to DC converters, switching regulators, motor drivers, low-voltage bus switches, and power management.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,566
1 kpl (2500 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,702
1 kpl (2500 kpl/kela) (Sis ALV:n)
2500
€ 0,566
1 kpl (2500 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,702
1 kpl (2500 kpl/kela) (Sis ALV:n)
2500
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Kela |
|---|---|---|
| 2500 - 5000 | € 0,566 | € 1 415,00 |
| 7500+ | € 0,552 | € 1 380,00 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Series
UltraFET
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
23 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
110 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-16 V, +16 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Transistor Material
Si
Length
6.73mm
Width
6.22mm
Number of Elements per Chip
1
Typical Gate Charge @ Vgs
38 nC @ 10 V
Height
2.39mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
UltraFET® MOSFET, Fairchild Semiconductor
UItraFET® Trench MOSFET combine characteristics that enable benchmark efficiency in power conversion applications. The device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode, and the diode exhibits very low reverse recovery time and stored charge. Optimised for efficiency at high frequencies, lowest RDS(on), low ESR, and low total and Miller gate charge.
Applications in high frequency DC to DC converters, switching regulators, motor drivers, low-voltage bus switches, and power management.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.