onsemi J113 N-Channel JFET, Idss min. 2mA, 3-Pin TO-92

RS tilauskoodi: 806-1766Tuotemerkki: onsemiValmistajan osanumero.: J113
brand-logo
Näytä kaikki JFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

N

Idss Drain-Source Cut-off Current

min. 2mA

Maximum Gate Source Voltage

-35 V

Maximum Drain Gate Voltage

35V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Maximum Drain Source Resistance

100 Ω

Mounting Type

Through Hole

Package Type

TO-92

Pin Count

3

Drain Gate On-Capacitance

28pF

Source Gate On-Capacitance

28pF

Dimensions

5.2 x 4.19 x 5.33mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5.2mm

Height

5.33mm

Width

4.19mm

Tuotetiedot

N-channel JFET, Fairchild Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,31

1 kpl (50 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,389

1 kpl (50 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

onsemi J113 N-Channel JFET, Idss min. 2mA, 3-Pin TO-92
Valitse pakkaustyyppi

€ 0,31

1 kpl (50 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,389

1 kpl (50 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

onsemi J113 N-Channel JFET, Idss min. 2mA, 3-Pin TO-92
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
50 - 450€ 0,31€ 15,50
500+€ 0,267€ 13,35

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

N

Idss Drain-Source Cut-off Current

min. 2mA

Maximum Gate Source Voltage

-35 V

Maximum Drain Gate Voltage

35V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Maximum Drain Source Resistance

100 Ω

Mounting Type

Through Hole

Package Type

TO-92

Pin Count

3

Drain Gate On-Capacitance

28pF

Source Gate On-Capacitance

28pF

Dimensions

5.2 x 4.19 x 5.33mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5.2mm

Height

5.33mm

Width

4.19mm

Tuotetiedot

N-channel JFET, Fairchild Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja