onsemi KSC5502DTM NPN Transistor, 2 A, 600 V, 3-Pin DPAK

RS tilauskoodi: 806-4513PTuotemerkki: onsemiValmistajan osanumero.: KSC5502DTM
brand-logo

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Transistor Type

NPN

Maximum DC Collector Current

2 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Maximum Power Dissipation

50 W

Minimum DC Current Gain

12

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage

1200 V

Maximum Emitter Base Voltage

12 V

Maximum Operating Frequency

1 MHz

Pin Count

3

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Dimensions

6.73 x 6.22 x 2.39mm

Tuotetiedot

High Voltage NPN Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,316

kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 0,392

kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

onsemi KSC5502DTM NPN Transistor, 2 A, 600 V, 3-Pin DPAK
Valitse pakkaustyyppi

€ 0,316

kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 0,392

kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

onsemi KSC5502DTM NPN Transistor, 2 A, 600 V, 3-Pin DPAK
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Transistor Type

NPN

Maximum DC Collector Current

2 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Maximum Power Dissipation

50 W

Minimum DC Current Gain

12

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage

1200 V

Maximum Emitter Base Voltage

12 V

Maximum Operating Frequency

1 MHz

Pin Count

3

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Dimensions

6.73 x 6.22 x 2.39mm

Tuotetiedot

High Voltage NPN Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja