onsemi KSE13003H2ASTU NPN Transistor, 1.5 A, 400 V, 3-Pin TO-126

RS tilauskoodi: 739-0414Tuotemerkki: onsemiValmistajan osanumero.: KSE13003H2ASTU
brand-logo

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Transistor Type

NPN

Maximum DC Collector Current

1.5 A

Maximum Collector Emitter Voltage

400 V

Package Type

TO-126

Mounting Type

Through Hole

Maximum Power Dissipation

20 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage

700 V

Maximum Emitter Base Voltage

9 V

Pin Count

3

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Dimensions

8 x 3.25 x 11mm

Alkuperämaa

Philippines

Tuotetiedot

High Voltage NPN Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 1,15

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 1,426

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

onsemi KSE13003H2ASTU NPN Transistor, 1.5 A, 400 V, 3-Pin TO-126
Valitse pakkaustyyppi

€ 1,15

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 1,426

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

onsemi KSE13003H2ASTU NPN Transistor, 1.5 A, 400 V, 3-Pin TO-126
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
5 - 5€ 1,15€ 5,75
10 - 95€ 0,941€ 4,70
100 - 495€ 0,665€ 3,32
500 - 995€ 0,549€ 2,74
1000+€ 0,46€ 2,30

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Transistor Type

NPN

Maximum DC Collector Current

1.5 A

Maximum Collector Emitter Voltage

400 V

Package Type

TO-126

Mounting Type

Through Hole

Maximum Power Dissipation

20 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage

700 V

Maximum Emitter Base Voltage

9 V

Pin Count

3

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Dimensions

8 x 3.25 x 11mm

Alkuperämaa

Philippines

Tuotetiedot

High Voltage NPN Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja