Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.8 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
115 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
1.25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.6 nC @ 4 V
Transistor Material
Si
Width
1.4mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.01mm
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
N-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,381
kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 0,472
kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
20
€ 0,381
kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 0,472
kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
20
Osta irtotavarana
Määrä | Yksikköhinta | Per Kela |
---|---|---|
20 - 80 | € 0,381 | € 7,62 |
100 - 180 | € 0,195 | € 3,90 |
200 - 980 | € 0,169 | € 3,38 |
1000 - 1980 | € 0,146 | € 2,92 |
2000+ | € 0,138 | € 2,76 |
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.8 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
115 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
1.25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.6 nC @ 4 V
Transistor Material
Si
Width
1.4mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.01mm
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot