N-Channel MOSFET, 2.8 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 onsemi MGSF2N02ELT1G

RS tilauskoodi: 792-5675PTuotemerkki: onsemiValmistajan osanumero.: MGSF2N02ELT1G
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

2.8 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

115 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

1.25 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +8 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3.04mm

Typical Gate Charge @ Vgs

0.6 nC @ 4 V

Transistor Material

Si

Width

1.4mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.01mm

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

N-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,381

kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 0,472

kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 2.8 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 onsemi MGSF2N02ELT1G
Valitse pakkaustyyppi

€ 0,381

kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 0,472

kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 2.8 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 onsemi MGSF2N02ELT1G
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Kela
20 - 80€ 0,381€ 7,62
100 - 180€ 0,195€ 3,90
200 - 980€ 0,169€ 3,38
1000 - 1980€ 0,146€ 2,92
2000+€ 0,138€ 2,76

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

2.8 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

115 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

1.25 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +8 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3.04mm

Typical Gate Charge @ Vgs

0.6 nC @ 4 V

Transistor Material

Si

Width

1.4mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.01mm

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

N-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja