onsemi MJ11021G Dual PNP Darlington Transistor, -30 A 250 V HFE:100, 2-Pin TO-204
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiTransistor Type
PNP
Maximum Continuous Collector Current
-30 A
Maximum Collector Emitter Voltage
250 V
Maximum Emitter Base Voltage
-50 V
Package Type
TO-204
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
2
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
2
Minimum DC Current Gain
100
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
-3.8 V
Maximum Collector Base Voltage
-250 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
-3.4 V
Maximum Operating Temperature
+200 °C
Height
8.51mm
Maximum Power Dissipation
175 W
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Dimensions
21.08 (Dia.) x 8.51mm
Tuotetiedot
PNP Darlington Transistors, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 7,50
Each (In a Tray of 100) (ilman ALV)
€ 9,30
Each (In a Tray of 100) (Sis ALV:n)
100
€ 7,50
Each (In a Tray of 100) (ilman ALV)
€ 9,30
Each (In a Tray of 100) (Sis ALV:n)
100
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiTransistor Type
PNP
Maximum Continuous Collector Current
-30 A
Maximum Collector Emitter Voltage
250 V
Maximum Emitter Base Voltage
-50 V
Package Type
TO-204
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
2
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
2
Minimum DC Current Gain
100
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
-3.8 V
Maximum Collector Base Voltage
-250 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
-3.4 V
Maximum Operating Temperature
+200 °C
Height
8.51mm
Maximum Power Dissipation
175 W
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Dimensions
21.08 (Dia.) x 8.51mm
Tuotetiedot
PNP Darlington Transistors, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.