onsemi MJ11032G NPN Darlington Transistor, 50 A 120 V HFE:400, 2-Pin TO-204
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
50 A
Maximum Collector Emitter Voltage
120 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Package Type
TO-204
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
2
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
400
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
4.5 V
Maximum Collector Base Voltage
120 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3.5 V
Height
8.51mm
Width
26.67mm
Dimensions
38.86 x 26.67 x 8.51mm
Maximum Power Dissipation
300 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum Operating Temperature
+200 °C
Length
38.86mm
Tuotetiedot
NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 14,10
kpl (ilman ALV)
€ 17,48
kpl (Sis ALV:n)
1
€ 14,10
kpl (ilman ALV)
€ 17,48
kpl (Sis ALV:n)
1
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta |
|---|---|
| 1 - 9 | € 14,10 |
| 10 - 99 | € 11,40 |
| 100 - 199 | € 10,70 |
| 200 - 499 | € 10,40 |
| 500+ | € 9,70 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
50 A
Maximum Collector Emitter Voltage
120 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Package Type
TO-204
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
2
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
400
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
4.5 V
Maximum Collector Base Voltage
120 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3.5 V
Height
8.51mm
Width
26.67mm
Dimensions
38.86 x 26.67 x 8.51mm
Maximum Power Dissipation
300 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum Operating Temperature
+200 °C
Length
38.86mm
Tuotetiedot
NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.