onsemi MJD31CT4G NPN Bipolar Transistor 100 V, 3-Pin DPAK

RS tilauskoodi: 163-2498Tuotemerkki: onsemiValmistajan osanumero.: MJD31CT4G
brand-logo
Näytä kaikki Darlington Pairs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Transistor Type

NPN

Maximum Collector Emitter Voltage

100 V

Maximum Emitter Base Voltage

5 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Number of Elements per Chip

1

Maximum Collector Base Voltage

100 V

Maximum Power Dissipation

1.56 W

Dimensions

2.38 x 6.73 x 6.22mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

1.2 V

Tuotetiedot

NPN Power Transistors, ON Semiconductor

Standards

Manufacturer Part Nos with NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,241

1 kpl (2500 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 0,299

1 kpl (2500 kpl/kela) (Sis ALV:n)

onsemi MJD31CT4G NPN Bipolar Transistor 100 V, 3-Pin DPAK

€ 0,241

1 kpl (2500 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 0,299

1 kpl (2500 kpl/kela) (Sis ALV:n)

onsemi MJD31CT4G NPN Bipolar Transistor 100 V, 3-Pin DPAK
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Transistor Type

NPN

Maximum Collector Emitter Voltage

100 V

Maximum Emitter Base Voltage

5 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Number of Elements per Chip

1

Maximum Collector Base Voltage

100 V

Maximum Power Dissipation

1.56 W

Dimensions

2.38 x 6.73 x 6.22mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

1.2 V

Tuotetiedot

NPN Power Transistors, ON Semiconductor

Standards

Manufacturer Part Nos with NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja