onsemi MMBF4391LT1G N-Channel JFET, 30 V, Idss 50 to 150mA, 3-Pin SOT-23

RS tilauskoodi: 625-5723PTuotemerkki: onsemiValmistajan osanumero.: MMBF4391LT1G
brand-logo
Näytä kaikki JFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

N

Idss Drain-Source Cut-off Current

50 to 150mA

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Maximum Gate Source Voltage

+30 V

Maximum Drain Gate Voltage

30V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Maximum Drain Source Resistance

30 Ω

Mounting Type

Surface Mount

Package Type

SOT-23

Pin Count

3

Dimensions

2.9 x 1.3 x 0.94mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2.9mm

Height

0.94mm

Width

1.3mm

Tuotetiedot

N-channel JFET, ON Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,368

kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 0,456

kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

onsemi MMBF4391LT1G N-Channel JFET, 30 V, Idss 50 to 150mA, 3-Pin SOT-23
Valitse pakkaustyyppi

€ 0,368

kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 0,456

kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

onsemi MMBF4391LT1G N-Channel JFET, 30 V, Idss 50 to 150mA, 3-Pin SOT-23
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Kela
5 - 45€ 0,368€ 1,84
50 - 95€ 0,35€ 1,75
100 - 245€ 0,296€ 1,48
250 - 495€ 0,276€ 1,38
500+€ 0,253€ 1,26

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

N

Idss Drain-Source Cut-off Current

50 to 150mA

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Maximum Gate Source Voltage

+30 V

Maximum Drain Gate Voltage

30V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Maximum Drain Source Resistance

30 Ω

Mounting Type

Surface Mount

Package Type

SOT-23

Pin Count

3

Dimensions

2.9 x 1.3 x 0.94mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2.9mm

Height

0.94mm

Width

1.3mm

Tuotetiedot

N-channel JFET, ON Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja