onsemi MMBF4393LT1G N-Channel JFET, 30 V, Idss 5 to 30mA, 3-Pin SOT-23
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
5 to 30mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Maximum Gate Source Voltage
+30 V
Maximum Drain Gate Voltage
30V
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
100 Ω
Mounting Type
Surface Mount
Package Type
SOT-23
Pin Count
3
Drain Gate On-Capacitance
14pF
Source Gate On-Capacitance
14pF
Dimensions
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3.04mm
Height
1.01mm
Width
1.4mm
Tuotetiedot
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,228
kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 0,286
kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Kela)
500
€ 0,228
kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 0,286
kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Kela)
500
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Kela |
|---|---|---|
| 500 - 950 | € 0,228 | € 11,40 |
| 1000+ | € 0,197 | € 9,85 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
5 to 30mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Maximum Gate Source Voltage
+30 V
Maximum Drain Gate Voltage
30V
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
100 Ω
Mounting Type
Surface Mount
Package Type
SOT-23
Pin Count
3
Drain Gate On-Capacitance
14pF
Source Gate On-Capacitance
14pF
Dimensions
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3.04mm
Height
1.01mm
Width
1.4mm
Tuotetiedot
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.