onsemi MMBFJ177LT1G P-Channel JFET, Idss 1.5 to 20mA, 3-Pin SOT-23

RS tilauskoodi: 773-7816PTuotemerkki: onsemiValmistajan osanumero.: MMBFJ177LT1G
brand-logo
Näytä kaikki JFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

P

Idss Drain-Source Cut-off Current

1.5 to 20mA

Maximum Drain Gate Voltage

25V dc

Configuration

Single

Transistor Configuration

Single

Maximum Drain Source Resistance

300 Ω

Mounting Type

Surface Mount

Package Type

SOT-23

Pin Count

3

Source Gate On-Capacitance

11pF

Dimensions

3.04 x 1.4 x 1.01mm

Width

1.4mm

Height

1.01mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Length

3.04mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Tuotetiedot

P-channel JFET, ON Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

€ 9,90

€ 0,099 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 12,42

€ 0,124 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

onsemi MMBFJ177LT1G P-Channel JFET, Idss 1.5 to 20mA, 3-Pin SOT-23
Valitse pakkaustyyppi

€ 9,90

€ 0,099 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 12,42

€ 0,124 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

onsemi MMBFJ177LT1G P-Channel JFET, Idss 1.5 to 20mA, 3-Pin SOT-23

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

MääräYksikköhintaPer Kela
100 - 240€ 0,099€ 0,99
250 - 490€ 0,094€ 0,94
500 - 990€ 0,088€ 0,88
1000+€ 0,072€ 0,72

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

P

Idss Drain-Source Cut-off Current

1.5 to 20mA

Maximum Drain Gate Voltage

25V dc

Configuration

Single

Transistor Configuration

Single

Maximum Drain Source Resistance

300 Ω

Mounting Type

Surface Mount

Package Type

SOT-23

Pin Count

3

Source Gate On-Capacitance

11pF

Dimensions

3.04 x 1.4 x 1.01mm

Width

1.4mm

Height

1.01mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Length

3.04mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Tuotetiedot

P-channel JFET, ON Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja