onsemi MMBTA28 NPN Darlington Transistor, 800 mA 80 V HFE:10000, 3-Pin SOT-23
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
800 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V
Maximum Emitter Base Voltage
12 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
10000
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Maximum Collector Cut-off Current
100nA
Height
1.02mm
Width
1.4mm
Maximum Power Dissipation
350 mW
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Dimensions
2.51 x 1.4 x 1.02mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2.51mm
Tuotetiedot
Darlington NPN Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 318,00
€ 0,106 1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 399,09
€ 0,133 1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
€ 318,00
€ 0,106 1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 399,09
€ 0,133 1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
800 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V
Maximum Emitter Base Voltage
12 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
10000
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Maximum Collector Cut-off Current
100nA
Height
1.02mm
Width
1.4mm
Maximum Power Dissipation
350 mW
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Dimensions
2.51 x 1.4 x 1.02mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2.51mm
Tuotetiedot
Darlington NPN Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.