N-Channel MOSFET, 7 A, 60 V, 3-Pin DPAK onsemi NCV8406BDTRKGOS

RS tilauskoodi: 195-2460Tuotemerkki: onsemiValmistajan osanumero.: NCV8406BDTRKG
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

7 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

210 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

1.81 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±14 V

Width

6.22mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

6.73mm

Height

2.25mm

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Forward Diode Voltage

1.1V

Automotive Standard

AEC-Q101

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,824

1 kpl (2500 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 1,022

1 kpl (2500 kpl/kela) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 7 A, 60 V, 3-Pin DPAK onsemi NCV8406BDTRKGOS

€ 0,824

1 kpl (2500 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 1,022

1 kpl (2500 kpl/kela) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 7 A, 60 V, 3-Pin DPAK onsemi NCV8406BDTRKGOS
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

7 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

210 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

1.81 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±14 V

Width

6.22mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

6.73mm

Height

2.25mm

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Forward Diode Voltage

1.1V

Automotive Standard

AEC-Q101

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja