P-Channel MOSFET, 180 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 onsemi NDS0605

RS tilauskoodi: 671-1071Tuotemerkki: onsemiValmistajan osanumero.: NDS0605
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

180 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

5 Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

360 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Typical Gate Charge @ Vgs

1.8 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2.92mm

Width

1.3mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

0.93mm

Tuotetiedot

Enhancement Mode P-Channel MOSFET, ON Semiconductor

ON Semiconductors range of P-Channel MOSFETS are produced using ON Semi’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance to provide a rugged and reliable performance for fast switching.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,249

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,309

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

P-Channel MOSFET, 180 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 onsemi NDS0605
Valitse pakkaustyyppi

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 10.

Tuotanto -

Pakkauskoko 10.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

10

Pakkauskoko 10
10€ 2,49
20€ 4,98
30€ 7,47
40€ 9,96
50€ 11,90
60€ 14,28
70€ 16,66
80€ 19,04
90€ 21,42
100€ 19,90
110€ 21,89
120€ 23,88
130€ 25,87
140€ 27,86
150€ 29,85

€ 0,249

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,309

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

P-Channel MOSFET, 180 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 onsemi NDS0605
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 10.

Tuotanto -

Pakkauskoko 10.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

10

Pakkauskoko 10
10€ 2,49
20€ 4,98
30€ 7,47
40€ 9,96
50€ 11,90
60€ 14,28
70€ 16,66
80€ 19,04
90€ 21,42
100€ 19,90
110€ 21,89
120€ 23,88
130€ 25,87
140€ 27,86
150€ 29,85

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
10 - 40€ 0,249€ 2,49
50 - 90€ 0,238€ 2,38
100 - 240€ 0,199€ 1,99
250 - 490€ 0,188€ 1,88
500+€ 0,175€ 1,75

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

180 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

5 Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

360 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Typical Gate Charge @ Vgs

1.8 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2.92mm

Width

1.3mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

0.93mm

Tuotetiedot

Enhancement Mode P-Channel MOSFET, ON Semiconductor

ON Semiconductors range of P-Channel MOSFETS are produced using ON Semi’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance to provide a rugged and reliable performance for fast switching.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja