P-Channel MOSFET, 760 mA, 20 V, 3-Pin SC-75 onsemi NTA4151PG
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
760 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SC-75
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
1 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
300 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-6 V, +6 V
Width
0.9mm
Transistor Material
Si
Length
1.65mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2.1 nC @ 4.5 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
0.8mm
Tuotetiedot
P-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,315
kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 0,391
kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
50
€ 0,315
kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 0,391
kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
50
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Kela |
|---|---|---|
| 50 - 550 | € 0,315 | € 15,75 |
| 600 - 1450 | € 0,152 | € 7,60 |
| 1500+ | € 0,132 | € 6,60 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
760 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SC-75
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
1 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
300 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-6 V, +6 V
Width
0.9mm
Transistor Material
Si
Length
1.65mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2.1 nC @ 4.5 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
0.8mm
Tuotetiedot
P-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.