N-Channel MOSFET, 915 mA, 20 V, 3-Pin SC-75 onsemi NTA4153NG
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
915 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SC-75
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
9.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.1V
Maximum Power Dissipation
300 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-6 V, +6 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
0.8mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.82 nC @ 4.5 V
Number of Elements per Chip
1
Width
1.6mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
0.8mm
Tuotetiedot
N-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,299
1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 0,371
1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
10
€ 0,299
1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 0,371
1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
10
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 0,299 | € 2,99 |
| 100 - 190 | € 0,206 | € 2,06 |
| 200 - 740 | € 0,129 | € 1,29 |
| 750 - 1490 | € 0,114 | € 1,14 |
| 1500+ | € 0,099 | € 0,99 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
915 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SC-75
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
9.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.1V
Maximum Power Dissipation
300 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-6 V, +6 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
0.8mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.82 nC @ 4.5 V
Number of Elements per Chip
1
Width
1.6mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
0.8mm
Tuotetiedot
N-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.