N-Channel MOSFET, 40 A, 650 V, 3-Pin D2PAK onsemi NTB082N65S3F
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
40 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
82 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
313 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Width
9.65mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
81 nC @ 10 V
Height
4.58mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Alkuperämaa
China
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 5,90
1 kpl (800 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 7,316
1 kpl (800 kpl/kela) (Sis ALV:n)
800
€ 5,90
1 kpl (800 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 7,316
1 kpl (800 kpl/kela) (Sis ALV:n)
800
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
40 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
82 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
313 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Width
9.65mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
81 nC @ 10 V
Height
4.58mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Alkuperämaa
China
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.