onsemi NTB N-Channel MOSFET Transistor, 121 A, 150 V, 7-Pin D2PAK NTBGS6D5N15MC

RS tilauskoodi: 202-5695PTuotemerkki: onsemiValmistajan osanumero.: NTBGS6D5N15MC
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

121 A

Maximum Drain Source Voltage

150 V

Series

NTB

Package Type

D2PAK (TO-263)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance

0.004 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

€ 325,00

kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 407,88

kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

onsemi NTB N-Channel MOSFET Transistor, 121 A, 150 V, 7-Pin D2PAK NTBGS6D5N15MC
Valitse pakkaustyyppi

€ 325,00

kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 407,88

kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

onsemi NTB N-Channel MOSFET Transistor, 121 A, 150 V, 7-Pin D2PAK NTBGS6D5N15MC

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

121 A

Maximum Drain Source Voltage

150 V

Series

NTB

Package Type

D2PAK (TO-263)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance

0.004 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja