N-Channel MOSFET, 24 A, 60 V, 3-Pin DPAK onsemi NTD24N06LT4G

RS tilauskoodi: 688-9127Tuotemerkki: onsemiValmistajan osanumero.: NTD24N06LT4G
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

24 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

45 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

62.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-15 V, +15 V

Typical Gate Charge @ Vgs

16 nC @ 5 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

6.73mm

Width

6.22mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

2.38mm

Tuotetiedot

N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 1,55

1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 1,922

1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 24 A, 60 V, 3-Pin DPAK onsemi NTD24N06LT4G
Valitse pakkaustyyppi

€ 1,55

1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 1,922

1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 24 A, 60 V, 3-Pin DPAK onsemi NTD24N06LT4G
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
2 - 18€ 1,55€ 3,10
20 - 38€ 1,45€ 2,90
40 - 98€ 1,35€ 2,70
100 - 198€ 1,30€ 2,60
200+€ 1,25€ 2,50

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

24 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

45 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

62.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-15 V, +15 V

Typical Gate Charge @ Vgs

16 nC @ 5 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

6.73mm

Width

6.22mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

2.38mm

Tuotetiedot

N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja