P-Channel MOSFET, 25 A, 30 V, 3-Pin DPAK ON Semiconductor NTD25P03LT4G
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
90 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
75 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-15 V, +15 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 5 V
Width
6.22mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
2.38mm
Tuotetiedot
P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 1,05
kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 1,302
kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
5
€ 1,05
kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 1,302
kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
5
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Kela |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,05 | € 5,25 |
| 25 - 120 | € 0,766 | € 3,83 |
| 125 - 620 | € 0,613 | € 3,06 |
| 625 - 1245 | € 0,534 | € 2,67 |
| 1250+ | € 0,521 | € 2,60 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
90 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
75 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-15 V, +15 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 5 V
Width
6.22mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
2.38mm
Tuotetiedot
P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.