P-Channel MOSFET, 12 A, 60 V, 3-Pin IPAK onsemi NTD2955-1G
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
IPAK (TO-251)
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
180 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
55 W
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Transistor Material
Si
Length
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 10 V
Width
2.38mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
6.35mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Alkuperämaa
Malaysia
Tuotetiedot
P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,929
1 kpl (75 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 1,152
1 kpl (75 kpl/putki) (Sis ALV:n)
75
€ 0,929
1 kpl (75 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 1,152
1 kpl (75 kpl/putki) (Sis ALV:n)
75
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Putki |
|---|---|---|
| 75 - 300 | € 0,929 | € 69,68 |
| 375 - 1425 | € 0,904 | € 67,80 |
| 1500 - 3675 | € 0,881 | € 66,08 |
| 3750+ | € 0,86 | € 64,50 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
IPAK (TO-251)
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
180 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
55 W
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Transistor Material
Si
Length
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 10 V
Width
2.38mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
6.35mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Alkuperämaa
Malaysia
Tuotetiedot
P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.